تطوير ذاكرة وصول عشوائية من مادة السيليكون

طور فريق من العلماء ذاكرة وصول عشوائية من مادة السيليكون لتصبح أول رقاقة سيليكونية يمكن استخدامها في إنشاء ذاكرة سريعة جدا في الكمبيوتر.

ونقل موقع (ساينس دايلي) الأميركي عن باحثين في جامعة كولدج لندن البريطانية قولهم إن رقاقات السيليكون (ري رام) مصنوعة من مواد مثل أكسيدات المعادن تتغير مقاومتها الكهربائية عند تعرضها لتيار كهربائي وهي تتذكر هذا التغيير حتى عندما يطفأ جهاز الكمبيوتر.

وأضاف الباحثون أن هذه الرقاقات صممت لتخزين كمية أكبر من المعلومات بالمقارنة مع التكنولوجيات الحديثة على مثال ذاكرة فلاش أو الذاكرة الوميضية المستخدمة في أقراص التخزين (يو.اي.بي) التي تتطلب كمية أقل من الطاقة ومساحة أقل.

وقد طور فريق العلماء هيكلية جديدة تتألف من أكسيد السيليكون التي تجري التحول في المقاومة الكهربائية بطريقة أكثر فعالية من السابق فتتحول ذرات السيليكون في المادة لتشكل أسلاكاً من السيليكون داخل أكسيد السيليكون الصلب الذي تكون أقل مقاومة للكهرباء ويمثل حضورها أو غيابها التحول من حالة إلى أخرى.

وأشار الباحثون إلى أن هذه الرقاقات على عكس الرقاقات الأخرى التي يتم تطويرها لا تتطلب مساحة كبيرة للعمل كما أنها أرخص ثمناً وأكثر استمراراً منها كما تتفتح مجالاً لاستخدام رقاقات سيليكونية شفافة في شاشات اللمس والهواتف الخليوية.

وقال الدكتور طوني كينيون من جامعة كولدج لندن إن رقاقات السيليكون التي تعمل بمثابة ذاكرة وصول عشوائية في الكمبيوتر تحتاج إلى واحد بالألف فقط من الطاقة وتدور 100 مرة أسرع من رقاقات ذاكرة الفلاش كما أنها يمكنها العمل في الظروف المحيطة بها ولديها مقاومة كهربائية متغيرة ما يفتح المجال أمام تطبيقات جديدة محتملة.

وأضاف كينيون "نحن نعمل أيضاً على تطوير آلة من مادة الكوارتز ساعين إلى تطوير إلكترونيات شفافة".

وأشارت الدراسة إلى أنه يمكن تصميم هذه الآلات لتكون لها مقاومة كهربائية أكبر تعتمد على آخر قوة تيار كهربائي طبقت عليها ما يسمح بمحاكاة طريقة عمل الخلايا العصبية في الدماغ. وأفادت أن هذا الاختراع جاء صدفة عندما كان العلماء يعملون على استخدام أكسيد السيليكون لإنتاج صمام ثنائي باعث الضوء من السيليكون.

المصدر: وكالات